规格书 |
|
文档 |
Wafer Fabrication 04/Feb/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 800 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 600V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 52nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1490pF @ 25V |
功率 - 最大 | 125W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
供应商器件封装 | D²PAK |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FCB11N60TM也可以通过以下分类找到
FCB11N60TM相关搜索
咨询QQ
热线电话